利好袭来 第三代半导体材料双雄崛起(概念股一览) |
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作者:佚名 文章来源:本站原创 点击数: 更新时间:2023/7/28 17:27:38 | 【字体:小 大】 |
两天一夜100822金融界网站9月4日讯 第三代半导体概念迎来风口,今日早盘,碳化硅及氮化镓概念逆市活跃,其中露笑科技一字涨停,乾照光电高开后秒板。
据媒体消息,中国正在规划将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划之中。发展本国半导体技术以应对外部限制。
知情人士称,中国计划在2021到2025年的五年之内,在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面对第三代半导体发展提供广泛支持。其称,下一个五年的经济战略包括向无线网络到人工智能等技术领域投入约1.4万亿美元。
随着电力电子技术的飞速发展,Si基半导体器件也在飞速发展,电流、电压等级越高,芯片越薄越小、导通压降越小、开关频率越高、损耗越小等等。任何事物的发展,除了外在力的作用,自身特性也会限制发展,Si基半导体器件似乎已经到了寸步难行的地步。而此时,以碳化硅SiC和氮化镓GaN为主的新型半导体材料,也就是我们常说的第三代宽禁带半导体(WBG)破土而出,以其优越的性能突破的Si的瓶颈,同时也给半导体器件应用带来了显著的提升。
从目前第三代半导体材料和器件的研究来看,较为成熟的是SiC和GaN半导体材料,而氧化锌、金刚石、氮化铝等材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)——并称为第三代半导体材料的双雄。
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